Vergelle in Rame Oxygen-Free OFHC

La vergella di rame OFHC prodotta da Copper Italia œ un materiale monofase poichœ priva di ossidi, di conseguenza la sua duttilitù e grande trafilabilitù œ di molto superiore alle normali vergelle ETP.

Grazie alla grande capacitù del forno di fusione e al tempo di riposo del rame fuso all’interno dello stesso (caratteristiche universalmente riconosciute nel settore come prerequisiti fondamentali per una produzione di vergella di alta qualitù) il livello di ossigeno nella nostra vergella si attesta al massimo intorno a 1-2 ppm. Poco ossigeno si traduce in poche imperfezioni nella struttura interna della vergella; infatti alti livelli di ossigeno, cioœ maggiori ai 4 ppm, potrebbero causare problemi nei successivi processi di lavorazione della stessa.

Il nostro controllo computerizzato di tutte le fasi del processo garantisce un netto passo avanti sia in termini di qualitù che di affidabilitù rispetto a tutte le precedenti tecnologie di produzione di vergella di rame.

DATI TECNICI – CARATTERISTICHE DELL’ANODO DI RAME OFHC

Il rame OFHC è l’unico ad essere prodotto seguendo un procedimento a totale esclusione di ossigeno. Soddisfa gli standard ASTM B 170 ed è stato inizialmente sviluppato per venire incontro alle particolare esigenze industriali moderne.
La produzione di rame OFHC (vedi tabella) parte dalla selezione di catodi di rame di altà qualità e con un alto grado di purezza, questi vengono poi fusi in un forno ad induzione in un ambiente privo di ossigeno ed in grado di eliminare le residue tracce di ossigeno sui catodi.
Il rame fuso ottenuto viene poi colato in un forno d’attesa attraverso un canale ad atmosfera totalmente priva di ossigeno grazie a componenti gassosi che ne prevengono la contaminazione.
Questo processo, inoltre, evita l’introduzione di particolari componenti potenzialmente dannose nel forno d’attesa dal quale verrà poi estratta la vergella.

LA STRUTTURA A GRANO GROSSO AIUTA A PREVENIRE LE RUGOSITA’ E CONSENTE UNA COPERTURA UNIFORME
Anche nel rame, come in altri metalli, le ossidazioni e le altre impurità si evidenziano in un’analisi della struttura dei grani.
Tali impurità sono poi oggetto di attachi da parte di soluzioni galvaniche .
Piccole particelle di impurità non dissolte nei grani possono causare ruvidità, la purezza e la struttura del rame OFHC, invece, consente una struttura compatta, liscia in superficie e priva di impurità.

L’ASSENZA DI ADDITIVI RENDE PIU’ EFFICIENTE IL BAGNO GALVANICO
Poichè nella produzione di rame OFHC non vengono usati agenti deossidanti o additivi, non possono esserci contaminanti residui.
In galvanica questo significa riduzione pressochè totale di particelle insolubili nel bagno.

MENO RESIDUI = MINOR NECESSITA’ DI PULITURA DELLE VASCHE GALVANICHE
L’uso di rame OFHC diminuisce i residui nelle vasche galvaniche.
L’assenza di ossidi (non rintracciabili da test microscopici ASTM) aggiunta al livello estremamente basso di impurità concorrono nel minimizzare la quantità di residui presenti nel bagno.

PROPRIETÀ CHIMICO-FISICHE RAME OFHC:    

Conducibilità elettrica

a 20oC / 68 F – soft annealed

00.0-101.5 % IACS

58.0-58.9 m/ohm mm2

a 20oC / 68 F – fully cold worked

97.0-97.7 % IACS

56.3-56.6 m/ohm mm2

Conducibilità termica

a 20oC / 68 F

395 W/Km

0.094 cal, cm/cm2soC

Coefficiente di dilatazione

da 25 a 100oC / da 77 a 212 F

0.0000168 per oC

0.00000933 per F

da 20 a 300oC / da 68 a 572 F

0.0000177 per oC

0.00000983 per F

Resistenza agli agenti esterni

Resistenza all’indebolimento da idrogeno

buona

Resistenza alla corrosione

buona

 

 

Comparazione Rame Cu-OF – Cu-ETP   

RAME ELETTROLITICO
(ETP)

RAME OXYGEN-FREE
(OFHC)

Argento

.0013

.0012

Zolfo

.0015

.0012

Arsenico

.0006

.0002

Piombo

.0010

.0005

Antimonio

.0010

.0005

Bismuto

.0001

.00003

Selenio

.0003

.0001

Tellurio

.0001

.00005

Stagno

.0004

.0001

Nickel

.0014

.0005

Zinco

.0004

.00005

Ossigeno

.0340

.0003

Conducibilità (IACS)

100.7%

101.5%

 

 

Comparazione Caratteristiche Elettriche   

Rame UNI
5649/1

Resistività di massa max (Omega*g)/m2

Resistività di volume max. (Omega*mm2)/m

Conduttività min m/(Omega*mm)

Conduttività IACS % min

CU-ETP

0,155 96

0,0175 44

57

98,28

CU-OF

0,153 28

0,017 241

58

100

DATI TECNICI – PROPRIETÀ CHIMICO-FISICHE VERGELLE OFHC

I nostri prodotti presentano le seguenti caratteristiche:

PROPRIETÀ CHIMICO-FISICHE RAME OFHC:    

Conducibilità elettrica

a 20oC / 68 F – soft annealed

00.0-101.5 % IACS

58.0-58.9 m/ohm mm2

a 20oC / 68 F – fully cold worked

97.0-97.7 % IACS

56.3-56.6 m/ohm mm2

Conducibilità termica

a 20oC / 68 F

395 W/Km

0.094 cal, cm/cm2soC

Coefficiente di dilatazione

da 25 a 100oC / da 77 a 212 F

0.0000168 per oC

0.00000933 per F

da 20 a 300oC / da 68 a 572 F

0.0000177 per oC

0.00000983 per F

Resistenza agli agenti esterni

Resistenza all’indebolimento da idrogeno

buona

Resistenza alla corrosione

buona

DATI TECNICI – STANDARD DI QUALITÀ

I nostri prodotti soddisfano i seguenti standard internazionali:

STANDARD DI QUALITÀ:    

Outokumpu
designation

National designation

Germany
DIN

UK
BS

France
NF

USA
UNS

Sweden
SS/SIS

Denmark
DS

Norway
NS

Finland
SFS

Oxygen
free

OF-OK™

1787
OF-Cu

6071
1981
Cu-OF

Cu-Cl

C10200OF
ASTM B170-82
grade 2

6011

6011
Cu-OF

16011
Cu-OF

2905
Cu-Of

DATI TECNICI :: IMBALLAGGI IMPIEGATI PER VERGELLE OFHC

vergelle-ofhc-2

Sono disponibili i seguenti imballaggi per le vergelle di rame OFHC, a seconda del diametro della vergella:

Rotoli 8mm
vergelle-ofhc-rot8

Rotoli 16mm
vergelle-ofhc-rot16

Rotoli 20mm
vergelle-ofhc-rot20